[发明专利]半导体激光器热沉无效
| 申请号： | 200310116537.6 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1617401A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;陈振宇;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种半导体激光器热沉，其中包括：一热沉；一金属电极和一信号电极位于热沉的上表面；一地电极位于热沉的下表面；一导通孔位于热沉的上表面其中一个金属电极的区域内，并贯穿金属电极、整个热沉及地电极；一金锡焊料柱位于导通孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器热沉，其特征在于，其中包括：一热沉；一金属电极和一信号电极位于热沉的上表面；一地电极位于热沉的下表面；一导通孔位于热沉的上表面其中一个金属电极的区域内，并贯穿金属电极、整个热沉及地电极；一金锡焊料柱位于导通孔内。
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