[发明专利]在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法

摘要

本发明提供一种在硅底材上形成三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法，其中包含采用一(111)晶向表面的单晶硅底材。接着，一双层缓冲结构形成在该硅底材上方，其中该双层缓冲结构包含一单晶氮化硅层，此单晶氮化硅层是利用导入活性氮电浆或氨气并以热氮化方法形成在高温硅底材上方。接着，另一缓冲层为一单晶氮化铝层或其它三族氮化物层是以磊晶成长的方式成长在单晶氮化硅层上方。然后，氮化镓层或三族氮化物半导体异质磊晶结构同样是利用磊晶成长的方式成长在此双层缓冲结构上。

主权项

1.一种在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法，该在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法包含：提供具有(111)晶向表面的一硅底材；执行一通入活性氮源的热氮化作用于具有(111)晶向表面的该硅底材以形成一单晶氮化硅层于具有(111)晶向表面的该硅底材上；在不执行该通入活性氮源的热氮化作用下执行一铝预沉积步骤于该单晶氮化硅层上以形成一铝预沉积原子层于该单晶氮化硅层上方；执行一高温回火步骤于该铝预沉积原子层以形成一单晶氮化铝单原子层于该单晶氮化硅层上方；以及执行一氮化铝磊晶成长步骤于该单晶氮化铝单原子层上方以形成一单晶氮化铝磊晶层。形成一三族氮化物半导体结构于该氮化铝磊晶层上方。