[发明专利]一种设计交替相移掩模的方法无效
申请号: | 200310116594.4 | 申请日: | 2003-11-18 |
公开(公告)号: | CN1503056A | 公开(公告)日: | 2004-06-09 |
发明(设计)人: | 拉斯·W·利布曼;卡洛斯·A·方西卡;约安纳·格劳尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G03F1/16 | 分类号: | G03F1/16;G06F9/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种设计交替相移掩模的方法及装置,该掩模包括衬底。该方法包括以下步骤:提供电路布局;确定电路布局的多个临界单元;提供截止布局尺寸;确定电路布局的临界部分,其中该些多个临界单元的每一个具有小于截止尺寸的亚截止尺寸;创建与临界部分相关的基本位相形状;从位相形状中去除布局违例;确定与临界部分相关的位相形状的宽度是否具有不相等的较窄的和较宽的宽度,如果是,那么加宽每个较窄的位相形状,以与临界部分相关的较宽的位相形状的宽度配合,从去除布局违例开始重复步骤,直到测试答案为否;如果测试答案为否,那么提供布局图形给输出。 | ||
搜索关键词: | 一种 设计 交替 相移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种设计交替相移掩模的方法,该掩模包括衬底,该方法包括:a)提供电路布局;b)确定所述电路布局的多个临界单元;c)提供截止布局尺寸;d)确定电路布局的临界部分,其中该些多个临界单元的每一个具有小于所述截止尺寸的亚截止尺寸;e)创建与临界部分相关的基本位相形状;f)从位相形状中去除布局违例;g)进行测试以确定与临界部分相关的位相形状的宽度是否具有不相等的较窄的和较宽的宽度,如果测试结果为是,那么加宽每个较窄的位相形状,以与临界部分相关的较宽的位相形状的宽度配合,重复步骤f)至步骤g),直到测试答案为否;以及h)如果测试答案为否,那么提供布局图形给输出。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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