[发明专利]高频低导磁系数低损耗磁粉芯及其制备方法无效
申请号: | 200310116696.6 | 申请日: | 2003-11-27 |
公开(公告)号: | CN1622231A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 易健宏;彭元东;李丽娅;邹联隆 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01F1/14 | 分类号: | H01F1/14;H01F3/08;H01F41/02 |
代理公司: | 中南大学专利中心 | 代理人: | 袁翔 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及粉末冶金领域,尤其是一种高频低导磁系数μ低损耗磁粉芯及其制备方法,其特征在于:它的成分为二元系铁镍合金添加Mo,Ni的含量取为75~82%,Mo的添加量为1~3%,余量为Fe,熔炼温度为1600℃,成型压力压力取1000~1200MPa,热处理温度取450~550℃,保温时间取1小时,本发明的高频低导磁系数μ低损耗磁磁粉芯的物理性能和磁性能优良。100kHz下磁粉芯导磁系数导磁系数μ值变化小于0.3%;30kHz时,导磁系数μ=60±5,Q=100~120;磁粉芯的损耗P0.5/40K<12.5w/kg,满足了高频领域高性能电子器件的要求。 | ||
搜索关键词: | 高频 低导磁 系数 损耗 磁粉芯 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高频低导磁系数μ低损耗磁粉芯,其特征在于:它的成分为二元系铁镍合金添加Mo,Ni的含量取为75~82%,Mo的添加量为1~3%,余量为Fe。
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