[发明专利]喷墨头芯片结构及其制造方法无效
申请号: | 200310116901.9 | 申请日: | 2003-11-27 |
公开(公告)号: | CN1621235A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 刘建宏;刘健群;黄启明;邱嘉政;陈俊融 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种喷墨头芯片结构及其制造方法,在制作薄层间绝缘层以降低产生气泡的功率的需要下,分次制作层间绝缘层上方的覆盖保护层与第二导电层,利用不同定义方式分别定义出覆盖保护层与第二导电层,且两者是选择不同的材料来形成,同时其各自的定义方式对于所定义的覆盖保护层与第二导电层具有单一选择性(with high selectivity),不会在定义过程中伤害到其它的部分或是产生过蚀(overetch)的情形。 | ||
搜索关键词: | 喷墨 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种喷墨头芯片结构的制作方法,先于一基板上形成至少一晶体管,并建立致动组件,其步骤包括:形成一热阻层于该基板上方,该热阻层是经由该晶体管提供电流或电压以产生致动的能量,进而将墨滴推出;形成一第一导电层,其片电阻低于该热阻层,该第一导电层与该热阻层附着并产生电性接触;形成一层间绝缘层覆盖于该基板表面,其厚度小于该第一导电层加上该热阻层的厚度和;于该层间绝缘层表面定义一光阻层或其它供定义的耗尽层,仅露出预定形成覆盖保护层的该层间绝缘层区域;沉积该覆盖保护层且去除该光阻层;及于该层间绝缘层上方制作一第二导电层,该第二导电层的任一部份材质均不同于该覆盖保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310116901.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。