[发明专利]有机材料膜的处理方法无效
| 申请号： | 200310116936.2 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1505115A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 光冈一行;大西正;本多稔;浅子龙一;岩下光秋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/312;C08L101/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 材料 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在形成于基板上的有机材料膜的表面上形成极性液体材料膜的方法，其特征在于：包括：改性工序，在稀有气体气氛气下，由电子束照射装置向所述有机材料膜照射电子束，在使所述有机材料膜固化的同时，进行向所述有机材料膜赋予与所述极性液体材料的亲和性的改性处理；和在进行了所述改性处理的有机材料膜的表面涂布所述极性液体材料的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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