[发明专利]高密度芯片载体及其构成方法有效
| 申请号： | 200310116972.9 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1507046A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | M·P·胡齐克;R·H·德纳尔德;R·迪瓦卡茹尼;B·K·弗曼;R·詹米;C·纳拉扬;S·普鲁肖特哈曼;J·F·小谢泼德;A·W·托波尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/70;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 芯片 载体 及其 构成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于互连半导体元件的载体，包括：具有到至少一个半导体元件的连接的第一接口；具有到封装层的连接的第二接口；在所述第一和第二接口之间的衬底层，具有在其中构成的至少一个过孔，用于连接所述第一和第二接口的所述连接；在所述衬底层中构成的至少一个无源元件；以及与所述第一接口相关的导电元件组，用于将所述至少一个无源元件连接到所述半导体元件和/或所述封装层。
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