[发明专利]金属－绝缘体－金属电容结构及其制法有效
| 申请号： | 200310117088.7 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1624831A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01L27/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王占梅 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属－绝缘体－金属(MIM)电容，包含有一第一金属层；一第一电容介电层，设于该第一金属层上；一第二金属层，叠设于该第一电容介电层上，其中该第一金属层、该第一电容介电层及该第二金属层构成一下电容结构；一第二电容介电层，设于该第二金属层上；以及一第三金属层，叠设于该第二电容介电层上，其中该第二金属层、该第二电容介电层及该第三金属层构成一上电容结构；其中该第一金属层及该第三金属层电连接该MIM电容的第一电容端点，而该第二金属层则电连接该MIM电容的第二电容端点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种金属-绝缘体-金属电容，其特征是包含有：一第一金属层；一第一电容介电层，设于该第一金属层上；一第二金属层，叠设于该第一电容介电层上，其中该第一金属层、该第一电容介电层及该第二金属层构成一下电容结构；一第二电容介电层，设于该第二金属层上；以及一第三金属层，叠设于该第二电容介电层上，其中该第二金属层、该第二电容介电层及该第三金属层构成一上电容结构；其中该第一金属层及该第三金属层电连接该MIM电容的第一电容端点，而该第二金属层则电连接该MIM电容的第二电容端点。
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