[发明专利]具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200310117145.1 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1577748A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 邱显光;彭宝庆;陶宏远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法。包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底上形成一具有高介电常数的栅极介电层。形成一栅极导电层于介电层上。于上述栅极导电层上形成一图案化罩幕，以干蚀刻法蚀刻栅极导电层及部分具有高介电常数的栅极介电层，再利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分具有高介电常数的栅极介电层，以形成一具有高介电常数栅极介电层的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 介电层 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高介电常数介电层的栅极结构的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，于该半导体基底上形成具有高介电常数的一介电层；形成一栅极导电层于该介电层之上；以一图案化罩幕，利用干蚀刻法蚀刻该栅极导电层及部分该介电层；及利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该介电层，以形成一栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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