[发明专利]具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料无效
| 申请号： | 200310117195.X | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1547220A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;薛庆忠;张丽娜 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01C7/13 | 分类号： | H01C7/13 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于电学量传感器材料的用PLD方法制备的一种具有电流控制电阻效应的半导体/绝缘体/半导体结构材料。该材料是在Si(100)基片上，用不同比例的金属－石墨复合冷压靶材，用PLD方法在一定温度下沉积得到的。该材料在无外加电场的情况下存在一个较大的本征偏压，大小约为0.0027伏特，利用该特性可设计新型传感器。金属掺杂的半导体/绝缘体/半导体的结构材料，是一种很有前途的电学传感器材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 控制 电阻 效应 掺杂 半导体 绝缘体 半导体材料 | ||
【主权项】：
1.一种具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料，其特征在于：所述掺杂半导体是用金属原子比含量为1-70％的比例压成金属-石墨复合冷压靶材，用PLD方法在真空镀膜室中得到的金属掺杂的半导体/绝缘体/半导体的结构材料。
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