[发明专利]P沟道电可擦可编程只读存储器的编程方法有效
| 申请号： | 200310117230.8 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1627446A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;黄水钦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，将该EEPROM的N井接地，在控制闸上施加第一正电压，在P型源极区上施加第二正电压或一编程电流，并于P型漏极区上施加一负电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 电可擦 可编程 只读存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，所述EEPROM具有N井、浮置闸、控制闸、P型源极区、P型漏极区，以及耦接于所述漏极区与位线之间的选择晶体管，该方法包括：使所述N井接地；在所述控制闸上施加第一正电压；在所述源极区上施加一第二正电压或编程电流；在所述位线上施加第一负电压，并开启所述选择晶体管以将所述第一负电压传到所述漏极区上；其中由所述第二正电压或所述编程电流造成的顺向偏压，用以开启由所述源极区、所述漏极区与所述N井所构成的寄生双载子晶体管，且所述漏极区与所述井间的逆向偏压足以导致所述源极区与所述漏极区间产生电子流，以注入所述浮置闸中。
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