[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200310117412.5 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1547260A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 姚若河;郑学仁 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。该薄膜太阳能电池依次由衬底、电极、p型铜铟硒层、n型硫化镉层、p型多晶硅层、n型多晶硅层和电极叠层构成。本发明薄膜太阳能电池的制备方法依下列步骤进行：(1)采用磁控溅射加真空硒化退火方法在衬底上制备p型铜铟硒(CIS)膜；(2)用真空蒸发方法在p型铜铟硒(CIS)膜上生长n型硫化镉(CdS)层形成铜铟硒/硫化镉(CIS/CdS)复合结构；(3)在铜铟硒/硫化镉(CIS/CdS)复合结构上采用PCVD工艺和金属诱导固相晶化方法制备p型多晶硅层、n型多晶硅层；(4)形成多晶硅－铜铟硒叠层复合结构的薄膜太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜太阳能电池，其特征是它依次由衬底(1)、电极(201)、p型铜铟硒层(3)、n型硫化镉层(4)、p型多晶硅层(6)、n型多晶硅层(7)和电极(202)叠层构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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