[发明专利]纳米粒子的制备方法无效
| 申请号： | 200310117572.X | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1628927A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张仁淙 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/00 | 分类号： | B22F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米粒子的制备方法，其包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一牺牲层；在该牺牲层上形成一欲制备成纳米粒子的材质层；在该材质层上形成一光阻剂层；将所需的纳米图样转印于光阻剂层；将材质层蚀刻出所需的纳米图样；除去光阻剂层及牺牲层，过滤出纳米粒子。本发明是利用深次微米微影蚀刻技术制备纳米粒子，由于该方法所获得的纳米粒子是由微影蚀刻所控制，故可确保该纳米粒子具有预定的形状和大小，且其形状和大小的单一性也非常高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 粒子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米粒子的制备方法，其特征在于包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一牺牲层；在该牺牲层上形成一欲制备成纳米粒子的材质层；在该材质层上形成一光阻剂层；将所需的纳米图样转印于光阻剂层；将材质层蚀刻出所需的纳米图样；除去光阻剂层和牺牲层，过滤出纳米粒子。
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