[发明专利]异质结场效应型半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310117987.7 | 申请日： | 2003-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1507074A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 尾藤康则 | 申请（专利权）人： | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在异质结场效应型半导体器件中，沟道层(5，5)形成在GaAs衬底(1)上，不包含铝的第一半导体层形成在沟道层(9，9)上。第一导电类型的第一和第二帽盖层(11，11’，11’a，11’b)形成在所述第一半导体层上，在第一半导体层上产生沟槽(11a)。第一和第二欧姆电极(14S，14D)分别形成在所述第一和第二帽盖层上。第二导电类型的第二半导体层(15，15’，15”)形成在沟槽内的第一半导体层上，第二半导体层与第一和第二帽盖层隔开。栅电极(13)形成在第二半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 场效应 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结场效应型半导体器件，包括：GaAs衬底(1)；形成在所述GaAs衬底上的沟道层(5，5’)；形成在所述沟道层(9，9)上不包含铝的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第一导电类型的第一和第二帽盖层(11，11’，11’a，11’b)，所述第一和第二帽盖层在所述第一半导体层上产生第一沟槽(11a)；分别形成在所述第一和第二帽盖层上的第一和第二欧姆电极(14S，14D)；形成在所述第一沟槽内的所述第一半导体层上的第二导电类型的第二半导体层(15，15’，15”)，所述第二半导体层与所述第一和第二帽盖层隔开；以及形成在所述第二半导体层上的栅电极(13)。
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