[发明专利]多层半导体集成电路结构的制作方法及其电路结构

摘要

一种多层面半导体集成电路(IC)结构包含：第一互连层面，它包括在半导体衬底上的介电材料层，介电材料层包括钝化半导体器件和其下局部互连线的致密材料；多层介电材料互连层，制作在致密介电材料层上，每个介电材料层都包含至少一层低κ值介电材料；以及，在低κ值介电材料层中的一组叠置通路柱，所述这组叠置通路柱的每一个都与一个或多个图形导电结构互连，导电结构包含制作在低κ值介电材料中的悬臂。多个互连层面中每一个的介电层都包括软低κ值介电材料，其中悬臂和叠置通路柱组集成在软低κ值材料内，以增强抗御形成热疲劳断裂的能力。

主权项

1.一种多层半导体集成电路结构的制作方法，包括以下步骤：a)在第一互连层面中制作所述叠置通路柱的第一通路柱，将制作在半导体衬底中的金属特征与第一金属互连线段连接，所述第一通路柱和第一金属互连线制作在包括低κ值介电材料的第一互连介电层中；b)在所述第一互连层面上制作第二互连层面，所述第二互连层面包括含低κ值介电材料的第二互连介电层并在其中制作与所述第一金属互连线段导电对准的第二层面集成通路柱，并与矩形的第二金属互连线段在选定的位置导电对准，使得第二金属线段的一端在相同的长和宽的第一金属线段之上；c)在所述第二互连层面上制作第三互连层面，所述第三互连层面包括含低κ值介电材料的介电层并在其中制作第三层面集成通路柱，该通路柱将矩形的所述第二金属互连线段在其相反端连接到第三互连线段，所述第一、第二和第三集成通路柱与所述第二金属线段在所述低κ值介电层中形成叠置通路柱，所述第二金属线段包含悬臂结构。