[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200310118019.8 | 申请日： | 2003-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1503375A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 中田和久;大谷一弘;佐原康之;关户真策 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/118;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。需要高电流能力的P沟道型MISFET的栅极是配置于不连续型活性区域(R10p)上的高驱动型栅极(10ph)，或者是配置于二输入型活性区域(R20p)上的高驱动型活性区域(20ph)。并不需要太高的电流能力的PMISFET的栅极是配置于连续型活性区域(R30p)的通常型栅极(30pu)。在不连续型活性区域(R10p)或二输入型活性区域(R20p)中，由于配置高驱动型栅极(10ph)或(20ph)，因此利用由格子形变产生的轻型空穴可以得到高驱动型P沟道型MISFET。可以消除由活性区域的沟道分离的应力而引起的对MISFET的性能的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在具备：只配置一个P沟道型MISFET的栅极的第一不连续型活性区域；配置三个以上的P沟道型MISFET的栅极的第一连续型活性区域；包围所述第一不连续型活性区域以及第一连续型活性区域的沟道分离的半导体装置中，其特征在于：按照将第一P沟道型MISFET的栅极配置在所述第一连续型活性区域，而将比所述第一P沟道型MISFET需要更高的电流能力的第二P沟道型MISFET的栅极配置在所述第一不连续型活性区域那样进行设计。
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