[发明专利]硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法无效
| 申请号： | 200310118097.8 | 申请日： | 2003-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1624502A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 毛容伟;滕学公;李传波;左玉华;罗丽萍;成步文;于金中;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122;G02B5/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基高量子效率共振腔增强型探测器，其特征在于，其结构包括：一个硅基片；一个探测器的有源区部分；一第一反射镜；一第二反射镜，该两个反射镜把探测器的有源区部分夹在中间，构成探测器的共振腔；一个键合界面层，该键合界面层的材料把带有两个反射镜的探测器有源区材料键合到硅基片上，该界面透光性好；一保护层，该保护层制作在有源区部分的表面和侧面；在保护层上刻蚀有电极孔，并生长有第一电极和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基高 量子 效率 共振 增强 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基高量子效率共振腔增强型探测器，其特征在于，其结构包括：一个硅基片；一个探测器的有源区部分；一第一反射镜；一第二反射镜，该两个反射镜把探测器的有源区部分夹在中间，构成探测器的共振腔；一个键合界面层，该键合界面层的材料把带有两个反射镜的探测器有源区材料键合到硅基片上，该界面透光性好；一保护层，该保护层制作在有源区部分的表面和侧面；在保护层上刻蚀有电极孔，并生长有第一电极和第二电极。
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