[发明专利]固体摄像元件及其驱动方法有效
申请号: | 200310118113.3 | 申请日: | 2003-11-13 |
公开(公告)号: | CN1519949A | 公开(公告)日: | 2004-08-11 |
发明(设计)人: | 冈田吉弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在有横型排泄的CCD固体摄像元件中,使加在漏极区上的电压脉冲低压化。将宽度窄的第一区60设置在沟道区50和漏极区54之间设置的分离区56中电荷传输方向的一部分上,其他部分作为宽度相对宽的第二区62。按照与第一区60相邻的传输电极12-2下面的信息电荷所在位置的时序,将电压脉冲加在漏极区54上,使分离区56形成的电位势垒下降。在第一区60中即使脉冲呈低电压,电位势垒也能充分地降低,排出不需要的电荷。另一方面,在信息电荷通过与第二区62相邻的沟道区50的情况下,第二区62的电位势垒能防止电荷向漏极区54漏出,确保传输效率。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像元件,其特征在于:备有在半导体衬底的一个主面上以规定的间隔互相平行地沿着第一方向配置的一种导电型的沟道区;有高浓度的一种导电型,在相邻的沟道区之间沿着上述第一方向延伸配置的多个漏极区;在上述沟道区及上述漏极区的间隙中配置的逆导电型的分离区;以及在上述半导体衬底上沿着与上述第一方向交叉的第二方向延伸互相平行配置的多个传输电极,上述分离区使得每适当个数的传输电极中至少一个传输电极下面的区域的宽度比其他传输电极下面的区域的宽度窄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310118113.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的