[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200310118118.6 申请日: 2003-11-13
公开(公告)号: CN1501502A 公开(公告)日: 2004-06-02
发明(设计)人: 伊东丰二;藤井英治;梅田和男 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L27/108;H01L21/314;H01L21/3205
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中,在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时,还可以减小单位单元的面积。该器件具备:形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管;与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列,各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25);以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖,该氢阻挡膜,由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体器件,其特征在于:具备:下部氢阻挡膜;形成在上述下部氢阻挡膜的上边的电容部;覆盖上述电容部、且使上述电容部的周缘部的上述下部氢阻挡膜露出的第1层间绝缘膜,以及形成在上述第1层间绝缘膜和上述露出的下部氢阻挡膜的上边的上部氢阻挡膜;上述上部氢阻挡膜在上述周缘部与上述下部氢阻挡膜接触,覆盖上述电容部侧方的上述第1层间绝缘膜的侧面与上述下部氢阻挡膜的上面所成的角度是钝角。
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