[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200310118118.6 | 申请日: | 2003-11-13 |
公开(公告)号: | CN1501502A | 公开(公告)日: | 2004-06-02 |
发明(设计)人: | 伊东丰二;藤井英治;梅田和男 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/314;H01L21/3205 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中,在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时,还可以减小单位单元的面积。该器件具备:形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管;与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列,各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25);以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖,该氢阻挡膜,由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,其特征在于:具备:下部氢阻挡膜;形成在上述下部氢阻挡膜的上边的电容部;覆盖上述电容部、且使上述电容部的周缘部的上述下部氢阻挡膜露出的第1层间绝缘膜,以及形成在上述第1层间绝缘膜和上述露出的下部氢阻挡膜的上边的上部氢阻挡膜;上述上部氢阻挡膜在上述周缘部与上述下部氢阻挡膜接触,覆盖上述电容部侧方的上述第1层间绝缘膜的侧面与上述下部氢阻挡膜的上面所成的角度是钝角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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