[发明专利]具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200310118244.1 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1627542A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赖穆人;洪详竣 | 申请（专利权）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法，其先于P－型氮化镓欧姆接触层上形成一金属导电层并经由高温合金降低其与P－型氮化镓欧姆接触层之间的接触电阻，接着于此低接触电阻的金属导电层上制作一高反射率的网状金属导电层并经由高温合金降低其与低接触电阻的金属导电层之间的接触电阻，并达到增加横向电流分散的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 网状 金属 导电 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有网状金属导电层的发光二极管，其特征在于，其主要结构包括：一基板，位于该发光二极管元件的底端；一半导体层，接于该基板上部，具有一N型半导体层、一发光层及一P型半导体层，其中，该发光层介于该N型半导体层与该P型半导体层之间；一低接触阻抗金属导电层，位于该P型半导体层上端；以及一网状金属导电层，该网状金属导电层覆盖于该低接触阻抗金属导电层上部，可提高该发光二极管元件的发光均匀度。
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