[发明专利]掩模图形产生方法及掩模图形产生装置无效
| 申请号： | 200310118267.2 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1523446A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山际实;谷本正;三坂章夫;日野上丽子 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王琦;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明建立了一种用于减少掩模CAD处理的工作量并确保OPC处理中定义的最小尺寸的掩模图形校正技术。本发明的方法包括以下步骤：测量掩模图形的线宽；提取掩模图形的线宽小于预定尺寸的边缘；产生相对于线宽小于预定尺寸的边缘之间的中心具有预定宽度的中心几何对象；以及用中心几何对象代替掩模图形的线宽小于预定尺寸的部分。由此将掩模图形的线宽改变成中心几何对象的预定尺寸的宽度。这显著地减少了现有技术中基于校正表对尺寸的每个值进行几何对象计算的步骤的数量，由此缩短了掩模CAD处理时间。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 产生 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种借助晶片工艺中的投影光学系统在晶片上形成所需掩模图形的掩模图形产生方法，包括以下步骤：测量掩模图形的线宽；产生相对于掩模图形的线宽边缘之间的中心具有预定宽度的中心几何对象；以及使用中心几何对象使掩模图形变形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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