[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200310118368.X | 申请日： | 2003-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1521803A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 山口敦美 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，能够抑制图形坍塌，形成微细的空间图形或微细的线图形。在衬底上形成底层膜，在底层膜上形成抗蚀剂图形，在形成了该抗蚀剂图形的底层膜上形成玻璃上的转涂膜，以便覆盖抗蚀剂图形。然后，去除抗蚀剂图形，在玻璃上的转涂膜上形成反转图形。以该玻璃上的转涂膜为掩模，对底层膜进行刻蚀，形成微细的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：底层膜形成工序，在衬底上形成底层膜；抗蚀剂图形形成工序，在上述底层膜上形成抗蚀剂图形；玻璃上的转涂膜形成工序，在上述底层膜的露出表面的部分形成玻璃上的转涂膜；抗蚀剂图形去除工序，去除上述抗蚀剂图形；以及底层膜刻蚀工序，以上述玻璃上的转涂膜为掩模，对上述底层膜进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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