[发明专利]一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法无效
| 申请号： | 200310118493.0 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1555063A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 朱哲;金传恩 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;H01L27/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，并具体的公开了一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法。本发明的同步单口SRAM包括：一个普通的同步单口静态随机存储器本体(1)，并且还包括一个多输入多输出端的映射逻辑电路模块(2)，所述映射逻辑电路模块(2)包含有用于连接上述同步单口静态随机存储器本体(1)各个信号端的端口，同时该映射逻辑电路模块(2)还包含有用于连接同步双口静态随机存储器所适用之信号端的端口，该映射逻辑电路模块(2)在上述同步单口静态随机存储器本体(1)和对应于同步双口静态随机存储器的各信号端口之间进行映射连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 同步 sram 功能 单口 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、同步双口静态随机存储器(SRAM)的实现方法，其特征在于：采用一个同步单口静态随机存储器，在适用于同步双口静态随机存储器的端口信号与所述同步单口静态随机存储器的各个端口之间增加一个映射逻辑电路模块，使得原本连接双口静态随机存储器端口的两套信号端映射于所述同步单口静态随机存储器的相应功能端口上，同时增大时钟频率使所述同步单口静态随机存储器可分别在不同的周期内完成上述两套端口的读或写操作处理。
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