[发明专利]金属膜形成处理方法、半导体器件和布线基板无效
| 申请号： | 200310118597.1 | 申请日： | 2003-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1508285A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吉谷昌明 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/20 | 分类号： | C23C18/20;H01L21/48;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及对树脂基材的表面依次进行调节处理、Pd活性化处理、无电解镀铜处理、电解镀铜处理，在该表面上形成铜金属膜的金属膜形成方法。在调节处理中，使调节处理液层状地存在于该表面与覆盖玻璃板之间，从覆盖玻璃板的上边向该表面照射紫外线。若在存在着处理液的状态下进行紫外线照射，则树脂表面分子和处理液成分就进行化学反应，促进并强化树脂表面的活性化，提高将附着于树脂表面上的金属铜的贴紧度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 形成 处理 方法 半导体器件 布线 | ||
【主权项】：
1.一种按照电镀核产生工序和无电解电镀工序的顺序进行处理，在树脂基材的表面上形成处理金属膜的方法，在中间存在着上述无电解电镀工序前使用的处理液时向上述表面照射紫外线。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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