[发明专利]半导体集成电路装置及其半导体集成电路芯片无效
申请号: | 200310118709.3 | 申请日: | 2003-11-28 |
公开(公告)号: | CN1505136A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | 铃木敦;大桥繁男;西原淳夫;森英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/473;H01L23/427;H05K7/20;F28D15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体集成电路装置及其半导体集成电路芯片,可以不降低允许温度地实现整个冷却结构的小型轻量化。在板状的半导体芯片(101)的一侧面上形成形成有多个电路的电路形成层(2),并把热传送层(15)与和形成了电路形成层的面相反的侧面接合成一体,该热传送层(15)由与半导体芯片相同的材料形成,且在其内部形成了成为闭合流路的流路管(3)。在该闭合流路内封入水等的工作流体(4),以与工作流体相接触的方式设置了作为工作流体驱动单元的电阻膜(5),利用电阻膜(5)对工作流体脉冲状加热使其汽化(崩沸),而对工作流体提供振动,因此传送及扩散在电路形成层(2)内产生的局部温升。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 及其 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路芯片,该芯片是板状的半导体芯片,在其一侧面上形成其中形成有多个电路的电路形成层,且把和形成了上述电路形成层的侧面相反的侧面与热传送层接合成一体,其特征在于:上述热传送层由与该半导体芯片相同的材料形成,且在其内部具有闭合流路、封入到上述闭合流路内的工作流体、及上述工作流体的驱动单元。
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