[发明专利]用于校验受研究系统的完整模型的属性的方法和系统有效
| 申请号： | 200310118724.8 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1510738A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·盖斯特;沙伦·凯达;安娜·格林高兹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/66;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于校验受研究系统的完整模型的属性的方法，包括：从模型中至少抽象出一些变量，以产生系统的抽象模型。以抽象模型的状态空间中的初始状态开始，根据至属性所定义的目标状态的传递关系、找到通过抽象模型状态空间的抽象路径。将抽象后的变量的一个子集恢复成抽象模型，从而产生系统的中间模型，并基于中间模型而校验完整模型上的属性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 校验 研究 系统 完整 模型 属性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于校验受研究系统的完整模型的属性的方法，所述模型基于状态变量的集合和所述状态间的传递关系而定义系统的状态，所述方法包括：从所述模型中至少抽象出一些变量，以产生所述系统的抽象模型；以所述抽象模型的状态空间中的初始状态开始，根据至所述属性所定义的目标状态的传递关系、找到通过所述抽象模型状态空间的抽象路径；将所述抽象后的变量的一个子集恢复成所述抽象模型，从而产生所述系统的中间模型；和基于所述中间模型而校验所述完整模型上的所述属性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
