[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200310118754.9 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1505173A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 井上智树;杉山公一;二宫英彰;小仓常雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/72;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有优良逆恢复特性的半导体器件，其具备：基极层，具有第1主表面和与第1主表面相对的第2主表面，由第1导电型半导体构成；第1主电极层，在第1主表面与基极层连接；控制区，贯通第1主电极层，布置在达到基极层内的槽的内部；第2主电极层，在第2主表面与基极层连接，由第1导电型半导体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：基极层，具有第1主表面和与第1主表面相对的第2主表面，由第1导电型半导体构成；第1主电极层，在上述第1主表面与上述基极层连接；控制区，贯通上述第1主电极层，布置在到达上述基极层内的槽的内部；及第2主电极层，在上述第2主表面与上述基极层连接，由第1导电型半导体构成。
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