[发明专利]一种从箔片上拾取半导体芯片的方法无效
申请号: | 200310118834.4 | 申请日: | 2003-11-28 |
公开(公告)号: | CN1505122A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·博利格尔;多米尼克·哈特曼;费利克斯·雷;欧金·曼哈特 | 申请(专利权)人: | ESEC贸易公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 张天舒;袁炳泽 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 一种借助探针(14)的帮助利用芯片夹(2)从箔片(18)上拾取半导体芯片(19)的方法,该芯片夹(2)承接在粘接头(1)上并且能够在预定方向偏转。一个电感传感器用于精确测量芯片夹(2)相对于粘接头(1)的偏转。拾取过程本身的特征在于包括下述步骤:a)把芯片夹(2)降低到高度Z0,该高度高于半导体芯片(19)的表面的平均高度,使得芯片夹(2)还不会接触半导体芯片(19),b)把探针(14)抬高到预定高度Z1,从而使探针(14)抬高半导体芯片(19)使得半导体芯片(19)与芯片夹(2)接触,然后升高芯片夹(2)的高度,以及c)抬高芯片夹(2),从而使半导体芯片(19)自身从探针(14)上分离。 | ||
搜索关键词: | 一种 箔片上 拾取 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种从箔片(18)上拾取半导体芯片(19)的方法,由此用一个能够在Z方向上移动并压在粘接头(1)上的芯片夹(2)来拾取半导体芯片(19),并且借助探针(14)的帮助实施半导体芯片(19)从箔片(18)上的分离,其特征在于包括下列步骤:a)把芯片夹(2)降低到位置Z0,该位置高于半导体芯片(19)的表面的平均高度,使得芯片夹(2)还没有碰到半导体芯片(19),b)把探针(14)抬高到预定位置Z1,从而使探针(14)抬高半导体芯片(19),使得半导体芯片(19)与芯片夹(2)接触,并然后抬高芯片夹(2)的Z位置,以及c)抬高芯片夹(2),从而使半导体芯片(19)自身从探针(14)上分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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