[发明专利]高密度磁阻存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200310118841.4 | 申请日： | 2003-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1574068A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 金恩植;金庸洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高密度磁阻存储器及其制造方法。该磁阻存储器包括：存储信息的存储单元；导线，与该存储单元接触，以通过产生磁场来改变存储单元的磁化方向；以及至少一个磁通量聚集岛(FCI)，位于该导线与存储单元之间，以将磁通量聚集到该存储单元上。磁通量被聚集到该存储单元上，以减少所需的电流并提高了选择率，从而形成一个高密度且高度集成化的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 磁阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁阻存储器，包括：存储信息的存储单元；导线，与存储单元接触，以通过产生磁场来改变存储单元的磁化方向；至少一个磁通量聚集岛，位于所述导线与存储单元之间，以将磁通量聚集到所述存储单元上。
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