[发明专利]具有使用凹切栅极的局部SONOS结构的闪存及其制造方法无效
| 申请号： | 200310118865.X | 申请日： | 2003-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1531107A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 金相秀;李来寅;裵金钟;金基喆;李化成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 使用 栅极 局部 sonos 结构 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凹切栅极硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)晶体管，包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个氧化物-氮化物-氧化物(ONO)楔形结构。
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