[发明专利]高压半导体集成开关管无效
申请号: | 200310119238.8 | 申请日: | 2003-11-23 |
公开(公告)号: | CN1619814A | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
发明(设计)人: | 黄济豪 | 申请(专利权)人: | 黄济豪 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200030*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 是壹种耐压很高的开关管。比目前市场上出售的耐压最高的管子高出许多伏特。其特点是电路中增加保护器,或者在管子内部集合保护器,使得集成的管子耐压超过2000伏特,达到2700伏特以上,而且不同的耐压可以标成不同的产品型号。发明包括电路中串联保护器和管子内部集合保护器的集成半导体管,也包括保护器与达林顿晶体管串联,也包括串联在e端内。附图中发明是虚线框内所示。L是电感性负载,包括马达和变压器等。L和电源Es串联着,Es的负端与发射极e端联结。L的另壹端与Co输出端相当于集电极联结。e,b和Co类似晶体管的叁个端子。控制信号由b端输入。 | ||
搜索关键词: | 高压 半导体 集成 开关 | ||
【主权项】:
1,凡是制造设备在电路内控制电感性负载的晶体管集电极与负载之间串联保护器以及串联在部件内部成为集成管,其功能是用于提高耐压的技术方法,包括保护器串联在发射极与电源Es的负端中间,也包括保护器与达林顿晶体管串联,同样是属于本专利保护范围。 技术特征
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄济豪,未经黄济豪许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310119238.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:专利分类系统及方法
- 下一篇:以多变化背景画面显示文字简讯的手机及相关方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的