[发明专利]半导体封装及切割槽的形成方法及其去闪光方法无效
申请号: | 200310119436.4 | 申请日: | 2003-12-22 |
公开(公告)号: | CN1551314A | 公开(公告)日: | 2004-12-01 |
发明(设计)人: | 郑载松 | 申请(专利权)人: | 喷气技术株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种半导体封装的去闪光技术,用于在半导体封装的制作工序中,通过树脂成型进行密封工序之后,预先对电镀部位除去闪光,具体地说,提供一种为了除去在作为难以进行去闪光处理的部位的引线框的侧面形成的侧向闪光,在侧向闪光中形成切割槽的半导体封装及其切割槽的形成方法以及具有切割槽的半导体封装中的去闪光方法。以前,通过利用超高压水流或介质等的去闪光方式也不能干净地除去闪光,而且,利用移动照射激光束的去闪光技术也难以适用的引线框的一部分侧向闪光中,提供一种通过照射激光束等照射介质将切割槽形成至引线部的半导体封装及其切割槽的形成方法,以及具有切割槽的半导体封装中的去闪光方法,从而提高去闪光的效率和品质。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 切割 形成 方法 及其 闪光 | ||
【主权项】:
1.一种在侧向闪光中具有切割槽的半导体封装,其特征在于,在半导体封装的制作工序中,通过树脂成型进行密封工序之后,在进行电镀工序之前,预先对电镀部位除去闪光的半导体封装中,上述密封工序之后,在同时附着在半导体封装的密封部和引线部上的、位于难除去的角落部的侧向闪光中,在位于邻接密封部的部位形成切割槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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