[发明专利]形成多层互连线路的光掩模组和用它制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200310119511.7 | 申请日： | 2003-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1519890A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 金成镇;张胜弦;南基钦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成多层互连线路的光掩模组和使用这种光掩模组制造的半导体器件包括用于形成下层互连线路的第一光掩模和用于形成上层互连线路的第二光掩模。第一和第二光掩模带有互相平行的下层不透光图形和覆盖下层不透光图形的上层不透光图形。在这种情况中，下层不透光图形的末端与跨过下层不透光图形的直线一致。因而，当使用第二光掩模来形成上层互连线路时，尽管有反射光的会聚，低质量的光致抗蚀图形还是被防止形成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多层 互连 线路 模组 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模组包括：第一光掩模，带有形成在第一透光衬底上的多个平行的下层不透光图形，其中，下层不透光图形的末端位于一条直线上；以及第二光掩模，带有形成在第二透光衬底上的多个平行的上层不透光图形，其中，上层不透光图形被放置成覆盖下层不透光图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310119511.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的制造设备的清洁方法
- 下一篇：硅化铁和光电换能器的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
