[发明专利]动态记忆胞元无效
| 申请号： | 200310119658.6 | 申请日： | 2003-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1503367A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | P·比尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系关于一种动态记忆胞元，其可藉由选择讯号选择且其内容可由含有第一及第二位线的位对读出，其具有一储存电容和第一及第二选择晶体管；在此实例中，依该选择讯号而定，该储存电容的第一终端可经由第一选择晶体管连接至第一位线且该储存电容的第二终端可经由第二选择晶体管连接至第二位线。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 记忆 | ||
【主权项】：
1.一种动态记忆胞元，其可由选择讯号选择且其内容可由一具有第一及第二位线(BL1，BL2)的位对((BLP)读出，其具有一储存电容(C)和第一及第二选择晶体管(T1，T2)；在此实例中，依选择讯号而定，该储存电容(C)的第一终端可经由该第一选择晶体管(T1)连接至该第一位线(BL1)，及该储存电容(C)的第二终端可经由该第二选择晶体管(T2)连接至该第二位线(BL2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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