[发明专利]光刻设备和制造器件的方法有效

专利信息
申请号: 200310119662.2 申请日: 2003-11-27
公开(公告)号: CN1503059A 公开(公告)日: 2004-06-09
发明(设计)人: W·O·普里尔;E·A·F·范德帕斯奇;R·F·狄龙;P·D·肯肖 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖春京;黄力行
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 由于大气条件的变化,诸如压力、温度和扰动,使用来自二次谐波干涉仪的测量来校正干涉测量系统的测量结果。在使用SHI数据以前,去除代表SHI数据与光路长度关系的匀变。该SHI可以使用无源Q开关激光器作为光源,可以在接收模块使用布儒斯特棱镜。可以使用光纤来将光引导到探测器。反射测量束的镜子具有这样的涂层,即其厚度选择为使SHI数据对涂层厚度的变化的敏感性最小化。
搜索关键词: 光刻 设备 制造 器件 方法
【主权项】:
1.一种光刻投影设备,其包括:用于提供辐射投影束的辐射系统;用于支撑构图装置的支撑结构,该构图装置用于根据所需图形来对投影束构图;用于保持衬底的衬底台;用于将构图的束投影到衬底的目标部分上的投影系统;用于测量目标物体的位移的干涉测量系统,其为所述设备的一个部件;用于沿着光路测量大气条件的二次谐波干涉仪,所述大气条件可以影响所述干涉测量系统的测量;响应于所述二次谐波干涉仪的控制系统,用于对所述干涉测量系统的测量进行校正;其特征在于:所述控制系统适于在使用所述测量对所述干涉测量系统的测量进行校正以前,从所述二次谐波干涉仪的测量去除任何依赖于所述光路长度的因素。
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