[发明专利]去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法无效
| 申请号： | 200310119702.3 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1624903A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 巫勇贤 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供去除深沟槽结构中半球形晶粒硅的方法，其利用一埋藏硅锗层作为蚀刻终止层，并以湿式蚀刻工艺去除半球形晶粒硅。湿式蚀刻工艺所用的氢氧化钾/丙酮/水混合液对半球形晶粒硅与埋藏硅锗层的蚀刻速率选择性很高，因此在去除半球形晶粒硅时，不会破坏沟槽侧壁。此外，利用该法制得的沟槽式电容结构，在半球形晶粒硅层与沟槽下半部之间并没有蚀刻终止层，故而无储存电容降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 深沟 结构 半球形 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法，包括：形成一蚀刻终止层于一衬底上的沟槽侧壁的一领形区内；形成一半球形晶粒硅层于该沟槽及该蚀刻终止层上；形成一砷硅玻璃层于该半球形晶粒硅层上；形成一光致抗蚀剂层于该沟槽下半部内；去除该沟槽上半部未被该光致抗蚀剂层覆盖的该砷硅玻璃层；以及去除该沟槽上半部未被该光致抗蚀剂层覆盖的该半球形晶粒硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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