[发明专利]具有抬升的源极和漏极结构的金氧半晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有抬升的源极和漏极结构的金氧半晶体管及其制造方法，该晶体管包括源极延伸区和漏极延伸区，其中抑制或消除了掺杂剂在沟道区内的扩散。这部分地通过抬升源极延伸区和漏极延伸区至形成在下面的衬底上的外延层中来实现。由此，增大了有效沟道长度，同时限制了掺杂剂扩散至沟道区中。按此方式，可以通过控制源极延伸区和漏极延伸区、源极区和漏极区各自的几何形状(例如，深度和宽度)、沟道宽度以及可选地形成在下面的衬底中的沟槽，精确地确定晶体管的性能特性。在几个实施例中，源极区和漏极区以及源极延伸区和漏极延伸区可部分或完全延伸穿过外延层，或者甚至延伸至下面的半导体衬底中。

主权项

1.一种用于形成具有抬升的源极和漏极结构的MOS晶体管的方法，包括：在衬底上设置牺牲栅极图形；在衬底上、临近牺牲栅极图形，设置外延层；在外延层上、临近牺牲栅极图形，设置第一绝缘层和第二绝缘层；移除牺牲栅极图形，从而暴露部分的衬底和外延层的侧壁部分；在衬底的暴露部分上并沿着外延层的侧壁部分设置栅极介电层；在栅极介电层上设置栅极电极；移除第二绝缘层和第一绝缘层；使用栅极电极作为掩模，以杂质掺杂外延层，从而在最接近栅极介电层的外延层中形成源极延伸区和漏极延伸区；在栅极电极上部的侧壁上设置绝缘间隔壁；以及使用栅极电极和绝缘间隔壁作为掩模，以杂质掺杂外延层，从而形成临近源极延伸区和漏极延伸区的深源极区和深漏极区。