[发明专利]磁阻传感器上自对准反射/保护覆盖层的制造及该传感器无效
| 申请号： | 200310119726.9 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1504997A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 维托尔德·库拉;亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种磁阻传感器，通过使用包括沉积在下分层结构上的自由层的传感器结构并沉积覆盖在自由层上面的氧化物结构来制造。氧化物结构的沉积包括步骤：沉积覆盖在自由层上面的缓冲层，其中缓冲层是沉积的缓冲层金属，沉积覆盖并接触缓冲层的覆盖层，覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 对准 反射 保护 覆盖层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁阻传感器的方法，包括步骤：提供一传感器结构，该传感器结构包括一个沉积在下分层结构上的自由层；以及沉积一氧化物结构覆盖在自由层上面，沉积氧化物结构的步骤包括步骤：沉积缓冲层覆盖在自由层上面，该缓冲层在沉积时是缓冲层金属，其后沉积覆盖层覆盖并接触该缓冲层，该覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化该缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。
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