[发明专利]硅化处理过程中有选择地清除层的清洗液及方法有效
| 申请号： | 200310119797.9 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1505106A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 金相溶;李根泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306;H01L21/44;H01L21/465 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种有选择地清除氮化钛层和非反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 过程 选择 清除 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在制造半导体器件过程中有选择地清除金属层的方法，包括：使用清洗液清除金属层，清洗液包括酸液和含碘氧化剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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