[发明专利]磁传感器及其制造方法、适合该制造方法的磁铁阵列有效
| 申请号： | 200310119837.X | 申请日： | 2003-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1503001A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 大桥俊幸;涌井幸夫 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有可以稳定维持自由层磁区的磁化方向的磁阻效应元件的磁传感器。该磁传感器包括具有包括钉扎层和自由层的窄带形部(11a、11a)的磁阻效应元件。在自由层的两端部下方形成了偏磁膜(11b、11b)和初始化用线圈(31)，所述偏磁膜(11b、11b)由使该自由层上产生规定方向的偏磁场的永久磁铁构成，所述初始化用线圈(31)与所述自由层邻近而设，通过在规定条件下通电来对自由层施加与所述偏磁场同一方向的磁场。此外，偏磁膜的起磁和钉扎层的磁化方向的固定用由磁铁阵列形成的磁场完成，使在多个永久磁铁设置在正方格的格点上的同时各永久磁铁的磁极的极性与间隔最短距离邻接的其他磁极的极性不同。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 适合 磁铁 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，由具有钉扎层和自由层的磁阻效应元件构成，其具有：偏磁膜，其由设置在所述自由层的两端同时使该自由层上产生规定方向的偏磁场的永久磁铁构成；初始化用线圈，其与所述自由层邻近设置，通过在规定条件下通电，对该自由层施加与所述偏磁场同一方向的磁场。
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