[发明专利]具有电压反馈电路的半导体器件及利用它的电子设备无效
申请号: | 200310119840.1 | 申请日: | 2003-10-04 |
公开(公告)号: | CN1501499A | 公开(公告)日: | 2004-06-02 |
发明(设计)人: | 山本勋;石川裕之;宫长晃一 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;G05F1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 当在半导体器件中使用双线的时候,检测两条线路中的一条的开放故障是很困难的。试图利用弱电流来执行这一检测,并改善半导体器件的负载调节。在IC芯片中并入串联调节器。在输入引脚上施加电池电压。组成调节器的晶体管的输出通过输出衰减器出现在输出引脚。输出电压的反馈信号出现在分压电阻的一端。输出衰减器通过保护电阻或者二极管连接到反馈衰减器。 | ||
搜索关键词: | 具有 电压 反馈 电路 半导体器件 利用 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:IC芯片,该IC芯片包括:控制电路,其根据输入信号和在其中反馈输出电压的反馈信号来控制输出电压;输出衰减器,用于输出输出电压;和反馈衰减器,用于输入反馈信号;和保护电阻,其连接在输出衰减器和反馈衰减器之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的