[发明专利]半导体集成电路设备和在该设备中检测延迟误差的方法无效
| 申请号： | 200310119877.4 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1507049A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 荒井实成 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;G06F13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆弋;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一包含(a)一实际输入电路(03A、04A)，(b)一实际输出电路(05A、06A)，(c)一具有和实际输入电路相同的特性的复制输入电路(12A)，(d)一具有和实际输出电路相同的特性的复制输出电路(11A)，(e)一依据外部触发器进行操作的振荡电路(15A)，以及(f)一把从振荡电路中传送过来并且通过实际输入电路和实际输出电路的信号，和从振荡电路中传送过来并且通过复制输入电路和复制输出电路进行比较以检测在实际输入和输出电路和复制输入和输出电路之间的延迟误差的半导体集成电路设备，其中依据由偏离比较电路检测到的延迟误差补偿在复制输入和输出电路中的延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 设备 检测 延迟 误差 方法 | ||
【主权项】：
1.一个半导体集成电路设备，包含：(a)一实际输入电路；(b)一实际输出电路；(c)具有和所述实际输入电路的特性相同的复制输入电路；(d)具有和所述实际输出电路的特性相同的复制输出电路；(e)一依据外部触发器进行操作的振荡电路；以及(f)一偏离比较电路，其把从所述振荡电路中传送过来并且通过所述实际输出电路的信号和从所述振荡电路中传送过来并且通过所述复制输出电路的信号进行比较，以检测在所述实际输出电路和所述复制输出电路之间的延迟误差，其中依据由所述偏离比较电路检测到的所述延迟误差补偿在所述复制输出电路中的延迟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尔必达存储器株式会社，未经尔必达存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310119877.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
