[发明专利]磁存储器件、写电流驱动电路以及写电流驱动方法有效
| 申请号： | 200310119932.X | 申请日： | 2003-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1505041A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 江崎城一朗;柿沼裕二;古贺启治 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁存储器件包括：磁阻效应元件，磁阻效应元件包括磁敏感层，该层的磁化方向根据外部磁场而变；写线，向写线提供写电流，以便向磁敏感层施加外部磁场；以及写电流驱动电路，它包括用于控制写线中写电流的方向的电流方向控制部分以及用于将写线中的写电流量控制为恒定值的电流量控制部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 电流 驱动 电路 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，它包括：磁阻效应元件，它包括磁敏感层，该层的磁化方向根据外部磁场而改变；写线，向所述写线提供写电流，以便向所述磁敏感层施加所述外部磁场；以及写电流驱动电路，它包括用于控制所述写线中写电流的方向的电流方向控制部分以及用于将所述写线中的写电流量控制为恒定值的电流量控制部分。
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