[发明专利]非易失性存储单元及非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200310120110.3 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1505043A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 森川佳直 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，不会伴随存储单元阵列整体面积的增加，即可降低存储单元的选择晶体管的通态电阻，达成存储单元的存储数据的读出操作的高速化及稳定操作。为此，具备多个根据电阻变化可以存储信息的可变电阻元件(2)；连接各可变电阻元件(2)的一端之间，由共同选择多个可变电阻元件(2)的MOSFET或二极管元件构成的选择元件(3)的一个电极与各可变电阻元件(2)的上述一端连接，构成存储单元(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储单元，其特征在于，具备：多个根据电阻变化可以存储信息的可变电阻元件；及共同选择所述多个可变电阻元件的选择元件，所述各可变电阻元件的一端之间互相连接，所述选择元件的一个电极与所述各可变电阻元件的所述一端连接。
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