[发明专利]半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法有效
| 申请号： | 200310120146.1 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1507052A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 冈本稔 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路装置(1000)，将数字电路(1010)和模拟电路(1050)集成于同一半导体芯片内，具有与数字电路(1010)连接、防止静电破坏的静电保护电路(1022a、1022b)和与模拟电路(1050)连接、防止静电破坏的静电保护电路(1062a、1062b)。与静电保护电路(1022a、1022b)连接的接地电源(1035)的供给布线，和与静电保护电路(1062a、1062b)连接的接地电源(1075)的供给布线，在半导体集成电路(1000)的外部连接。从而在将数字电路和模拟电路集成于同一半导体芯片上的半导体集成电路中，可以缩短工期降低成本、切实提高ESD的承受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，是将数字电路和模拟电路集成在同一半导体芯片上的半导体的集成电路装置，其特征在于：具有：与所述数字电路连接、防止因受所输入的数字信号的影响而在所述数字电路中产生的静电破坏的第1静电破坏保护电路，和与所述模拟电路连接、防止因受所输入的模拟信号的影响而在模拟电路中产生的静电破坏的第2静电破坏保护电路；与所述第1静电破坏保护电路连接的第1接地线和与所述第2静电破坏保护电路连接的第2接地线，在所述半导体的集成电路装置的外部连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
