[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200310120172.4 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1507042A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 丰沢健司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，在配设在离半导体芯片的边缘的距离相对较近的位置上的外周侧凸起电极间，具有2根内周内引线，其连接在配设在离上述边缘的距离相对较远的位置上的内周侧凸起电极上。该内周内引线中的至少1根，根据内周侧凸起电极的接合位置弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在半导体芯片(96)上，具有配设在离该半导体芯片(96)的边缘的距离相对较近的位置上的边缘侧凸起电极(58a、68a、88a、98a)和配设在离上述边缘的距离相对较远的位置上的内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b)，形成在薄膜基板上的引线配线(50、50a、50b、60、60a、60b、60c、70、71、80、80a、80b、100、100a、100b)接合在上述边缘侧凸起电极(58a、68a、88a、98a)及上述内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b)，其特征在于：在相互邻接的上述边缘侧凸起电极(58a、68a、88a、98a)间，至少设置2根接合在上述内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b)的内部侧凸起电极用引线配线(50b、60b、60c、70、71、80b、100b)；上述内部侧凸起电极用引线配线(50b、60b、60c、70、71、80b、100b)中的至少1根，根据上述内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b)的接合位置弯曲。
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