[发明专利]半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法有效
| 申请号： | 200310120206.X | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1527448A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郭准燮;蔡秀熙;成演准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 辅助 装配 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种辅助装配座，其倒装焊接到一具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上，所述辅助装配座包括：一具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。
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