[发明专利]半导体芯片承载基板及其制造方法无效
申请号: | 200310120273.1 | 申请日: | 2003-12-10 |
公开(公告)号: | CN1627489A | 公开(公告)日: | 2005-06-15 |
发明(设计)人: | 林荣淦 | 申请(专利权)人: | 玄基光电半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;H05K3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体芯片承载基板及其制造方法,其是在一覆设有上、下导电层的金属基板开设复数第一通孔,而后塞孔以形成复数塞柱,接着再对该等塞柱进行第二次钻孔,以使每一第一通孔的孔壁上各形成一保护层,接续再于保护层上形成通孔导电层,以使每一通孔导电层的上、下部分别与该上、下导电层相接触。因此本发明提供一种双面连接型的金属基板,提供芯片直接安装于其上,以达成高散热性、延长芯片使用寿命及增加LED亮度等功效。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 承载 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片承载基板的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一金属基板,该金属基板包括一金属板,在该金属板的上表面依序覆设有一上贴合胶层及一上导电层,且在该金属板的下表面依序覆设有一下贴合胶层及一下导电层;进行第一次钻孔作业,是对该金属基板钻孔,以形成复数第一通孔;将该等第一通孔填满而形成复数塞柱;进行第二次钻孔作业,是对该等塞柱钻孔,以形成复数第二通孔,且该第二通孔的孔径是较该第一通孔小,使每一该第一通孔的孔壁上各形成有一保护层:以及形成复数通孔导电层于该等第二通孔的孔壁上,以使每一该通孔导电层之上、下部分别与该上、下导电层相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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