[发明专利]用于制造具有在位线方向延伸的接触体的半导体器件的方法

摘要

提供制造具有接触体的半导体器件的方法，接触体在位线方向延伸，以增加接触体和存储电极之间的接触面积。在一个方面，方法包括在半导体衬底上形成栅极线，形成覆盖栅极线的第一绝缘层，形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，通过贯穿第一绝缘层电连接到栅极线之间的半导体衬底。而且，形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层，形成跨越栅极线的位线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘。此外，形成覆盖位线的第三绝缘层，并有选择地刻蚀，以形成与位线交叉并露出第一接触焊盘的带型开口。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极线；形成覆盖栅极线的第一绝缘层；形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，其中通过贯穿第一绝缘层第一接触焊盘和第二接触焊盘电连接到栅极线之间的半导体衬底；形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层；形成位线，其中位线跨越栅极线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘；形成覆盖位线的第三绝缘层；有选择地刻蚀第三绝缘层以形成带型开口，其中带型开口与位线交叉并露出第一接触焊盘；在第三绝缘层上形成导电层，以填充带型开口；构图导电层，以形成单个的存储电极接触体，其中每个接触体包括在位线方向上在第三绝缘层上延伸的延伸部分和电连接到第一接触焊盘的体区；以及在每个存储电极接触体上形成存储电极。