[发明专利]芯片状电子部件及其制造方法有效
| 申请号： | 200310120455.9 | 申请日： | 2003-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1503278A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 松冈大;北村英隆;小笠原正 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 芯片状电子部件，其具有元件主体，所述元件主体具有氧化锌系材料层和内部电极层，其特征在于，将从上述内部电极层的层叠方向最外侧到上述元件主体的表面的最短距离设为1时，用二次离子质量分析法(SIMS)，在从上述元件主体的表面到深度(0.9×1)的范围测定了Li与Zn的离子强度比(Li/Zn)的情况下，得到0.001≤(Li/Zn)≤500。根据本发明，可以提供不需要玻璃涂层等绝缘保护层的、对温度变化强、并且由焊锡回流也能维持元件表面的高电阻、可靠性高、制造容易的层叠芯片变阻器等的芯片状电子部件。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.芯片状电子部件，该芯片状电子部件具有元件主体，所述元件主体具有氧化锌系材料层和内部电极层，其特征在于，在将从上述内部电极层的层叠方向最外侧到上述元件主体的表面的最短距离设为1时，用二次离子质量分析法，在从上述元件主体的表面到深度(0.9×1)的范围测定了碱金属(A)与锌(Zn)的离子强度比(A/Zn)的情况下，得到0.001≤(A/Zn)≤500。
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